太阳能光伏发电是推动“碳达峰，碳中和”的重要力量。以非晶硅和晶体硅（a-Si:H/c-Si）构建的异质结（SHJ）太阳能电池近年来不断取得突破进展。然而，SHJ电池中的a-Si:H薄膜会带来较严重的寄生光吸收，且设备和工艺成本较高。采用宽带隙过渡金属氧化物（TMO）替代a-Si:H在减少寄生光吸收、提升光电流，以及降低成本等方面具有重要潜力。近年来，中国科学院上海高等研究院基础交叉研究中心李东栋研究员团队，在a-Si:H/c-Si异质结电池的产业化技术和TMO/c-Si异质结电池的前瞻研究等方面开展了深入研究。前期研究中发现了电池中界面的演变，并针对效率和稳定性的提升提出一系列改良方案

SIP.ME2平台由中科院上海微系统所和上海光源联合建设和运行开放，其inhouse团队沈大伟，刘中灏等在具有笼目（kagome）晶格结构的超导体RbV3Sb5中发现了电荷密度波（CDW）引起的能带重整化和能隙的打开，对研究材料CDW形成，以及相关的输运性质和超导机理有着重要意义。相关研究成果以“Charge-density-wave-induced bands renormalization and energy gaps in a kagome superconductor RbV3Sb5”为题发表在Physical Review X 11, 041010 (2021)和以“Emergence of new van Hove singularities in the charge density wave state of a topological kagome metal RbV3Sb5”为题发表在Physical Review Letters 127, 236401 (2021)。